シンワのGV-3のパワーって上がりますか? なめねこ 2003/06/08 23:11:12 ├出力調整は可能です。ただ、本体の放熱も非... ぱる 2003/06/08 23:29:54 │└書き込み有難うございます。簡単にパワーっ... なめねこ 2003/06/11 21:48:14 │ └老婆心ながら一言・・・ おせっかいさん 2003/06/12 00:27:00 └5wを倍の10wにしても電波の飛びはホトンド変... アリンコDP-500 2003/06/12 05:39:11 └確かに、機械自体も古くなりましたもんね。... なめねこ 2003/06/12 20:09:57 └パーソナルの無線機って利用者が多い時代に... ぱる 2003/06/13 00:00:44 └ガリウムヒ素の耳もいいですね〜 おせっかいさん 2003/06/13 00:16:52 └私のローカルにガリウムヒ素を大量に持って... 25JA 2003/06/14 00:34:07 └ごめんなさい。私はあまり詳しくないもので... なめねこ 2003/06/14 16:52:21 └GaAsFET(ガリウムひ素電界効果トランジスタ... 豆知識 2003/06/14 22:51:52
シンワのGV-3のパワーって上がりますか? [返事を書く] | ||
初心者です。本体のパワーを6Wにしたり10Wにしたりって出来るんですか?よくヤフオクとかで見てると、本体パワーを調整してありますという表現を見かけるもので・・・。自分の機械も、パワーを上げてみたいなって思いまして・・・。知ってる方よろしくお願いします。ちなみに機械はGV-3の、1280ch-SFXです。 | ||
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出力調整は可能です。ただ、本体の放熱も非常に足りないので、劣化が早まる可能性も高いです。 後ろに放熱用のファンを付けるとか・・ただ、5W→6Wにするくらいなら、同軸を高周波ケーブルの ワンランク上にするなり、通過ロスを軽減した方がよいと思うのですが・・10WはGV3のモジュール は出ないかな?回路見直せば可能なのでしょうか。でも、本体で無理をしない方がいいですよ。 | ||
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★ Re: 出力調整は可能です。ただ、本体の放熱も非... [返事を書く] | ||
書き込み有難うございます。簡単にパワーってあがるんですね。自分でも上げることは出来るのですか? | ||
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★ Re: 書き込み有難うございます。簡単にパワーっ... [返事を書く] | ||
老婆心ながら一言・・・ 確かにある程度まで本体の出力を上げる事は可能です しかし通常よりファイナルモジュールに負担を掛ける訳ですから それなりに発熱し寿命も短くなります ぱるさんの言われる通り同軸を10D FB等高効率の物に変えて運用し アンテナを整備する方が本体の出力を上げるより数段良いのでは ないかと思いますよ それでも不満を感じる様ならばある程度投資し本体は5wのままで リニアを使われる事を薦めます 耳付きの物であれば送受信共に良くなりますしね 何分年数の経っている機械が増えてるので本体に優しく運用しませう〜 | ||
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5wを倍の10wにしても電波の飛びはホトンド変わりません。 | ||
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確かに、機械自体も古くなりましたもんね。大事に使いたいので、パワーアップは諦めて、同軸等の交換をしてみます。でも、耳だけは良くしたいんですよね^^ | ||
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パーソナルの無線機って利用者が多い時代に作られた物だけなのかは不明ですが、感度が悪いような気がします。 まぁ周波数が高い帯域はガリヒ素などでのプリアンプは非常に効果があります。でも、同軸のロスも大きな要因ですから、やはり同軸は5Dより8D。8Dより10D。2VよりFB、FBよりSFAなどのようなワンランク上を使うとよいと思います。 | ||
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ガリウムヒ素の耳もいいですね〜 自分も一つ欲しいですが、なかなか程度の良い物が 見つかりませんよね〜 ある西東京のお店に外見の良い物がありましたが、そこの社長は お客さんの修理品だよって事で触らせもくれませんでした それとアンテナを変えても大分効果がありますよ 飛び先行の物、耳の良い物等など今日モービルで3本程実験 しましたが三者三様でしたね 一度実験してみる価値ありますよ | ||
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★ Re: ガリウムヒ素の耳もいいですね〜 [返事を書く] | ||
私のローカルにガリウムヒ素を大量に持っている方がいます 出所は、秘密と言う事で・・・・。 市ヶ谷方面から、らしいですが非常に精度がいい物で市販したら一個100Kはするようです。(元隊員) | ||
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ごめんなさい。私はあまり詳しくないもので、ガリウムヒ素ってわかりません。そういう物質を使用した装置でもあるんですか? | ||
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★ Re: ごめんなさい。私はあまり詳しくないもので... [返事を書く] | ||
GaAs FET(ガリウムひ素電界効果トランジスター) ガリウムとヒ素の化合物半導体材料等を使ったトランジスターです。普通のシリコン材料のランジスターに較べて 電気の移動速度が速い特性になっています。 | ||
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